د. محمد بن عبدالعزيز الزامل
عضو هيئة التدريس بكلية العلوم
قسم الفيزياء والفلك
مقرر يغطي المفاهيم الأساسية للالكترونيات. أشباه الموصلات، تطعيم أشباه الموصلات، خصائص وصلات p-n وتطبيقاتها، الدايودات، الترانزستور ذو القطبين، تكبير الأشارات، الترانزستور ذو الأثر الحقلي،...
مقرر فيزياء عامة يتحدث عن مفاهيم اساسية في الكهرباء والضوء ومقدمة بسيطة في الفيزياء الحديثة.
  Electron mobility calculations of n-type InAs were carried out at temperatures from 10 K up to 400 K and doping concentration from 6x1020 m-3 to 2.5x1021 m-3. The numerical computations...
Numerical calculation of the ideality factor of non ideal diodes has been performed. The diode cell was modulated in terms of a parallel connected double diode circuit model containing...
The aim of this study is studying the influence of the donor concentration and temperature on the static dielectric constant () of heavily doped n-type InAs semiconductor. The variation of...